JIS H0602-1995 用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法
作者:标准资料网 时间:2024-05-10 09:29:21 浏览:8466
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【英文标准名称】:Testingmethodofresistivityforsiliconcrystalsandsiliconwaferswithfour-pointprobe
【原文标准名称】:用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法
【标准号】:JISH0602-1995
【标准状态】:现行
【国别】:日本
【发布日期】:1995-11-01
【实施或试行日期】:
【发布单位】:日本工业标准调查会(JP-JISC)
【起草单位】:TechnicalCommitteeonElectronics
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:硅;电阻率;材料的电学性质;电阻测量;晶体(电子);电气试验;晶体
【英文主题词】:electricalresistivity;electricalpropertiesofmaterials;;resistancemeasurement;electricaltesting;crystals;
【摘要】:この規格は,シリコン単結晶(以下,単結晶という。)及びシリコンウェーハ(以下,ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は,P形は0.001～2000Ω·cm,N形は0.001-6000Ω·cmとする。
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045;77_120_99
【页数】:14P;A4
【正文语种】:日语
【原文标准名称】:用四点探针法对硅晶体和硅片电阻率的测试方法
【标准号】:JISH0602-1995
【标准状态】:现行
【国别】:日本
【发布日期】:1995-11-01
【实施或试行日期】:
【发布单位】:日本工业标准调查会(JP-JISC)
【起草单位】:TechnicalCommitteeonElectronics
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:硅;电阻率;材料的电学性质;电阻测量;晶体(电子);电气试验;晶体
【英文主题词】:electricalresistivity;electricalpropertiesofmaterials;;resistancemeasurement;electricaltesting;crystals;
【摘要】:この規格は,シリコン単結晶(以下,単結晶という。)及びシリコンウェーハ(以下,ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は,P形は0.001～2000Ω·cm,N形は0.001-6000Ω·cmとする。
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045;77_120_99
【页数】:14P;A4
【正文语种】:日语
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